窒素化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 荒木 正浩; 湯浅 貴之; 上田 吉裕; 小河 淳; 津田 有三 |
| 发表日期 | 2001-06-08 |
| 专利号 | JP2001156401A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒素化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 GaN厚膜を窒素化合物半導体レーザ作製用の基板として用いた場合、従来通りの技術を用いて電極を形成しても閾値電圧がおよそ10Vと大きくなること、また、電極が剥がれやすいことが問題となっていた。 【解決手段】 本発明の窒素化合物半導体発光素子は、窒素化合物半導体基板上に複数の窒素化合物半導体膜より構成される発光素子であって、n型電極101と窒素化合物半導体基板103との間にAlを含有する層102を有する。 |
| 公开日期 | 2001-06-08 |
| 申请日期 | 2000-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60501]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木 正浩,湯浅 貴之,上田 吉裕,等. 窒素化合物半導体発光素子. JP2001156401A. 2001-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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