半導体レーザ素子および光情報記録装置
文献类型：专利
| 作者 | 軸谷 直人; 高橋 孝志 |
| 发表日期 | 2002-05-10 |
| 专利号 | JP2002134834A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光情報記録装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 CODをレベル向上させ、長期信頼性の高い窓構造を有した赤色レーザ素子による半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 クラッド層がGaAsとGaPの間の格子定数を有しており、共振器端面にGaInAsP材料よりなる窓層が設けられている。GaAsとGaPの間の格子定数では、GaInPは格子定数の減少に伴って発光波長650nmよりも短波となるので、赤色レーザ素子の窓層として用いることができる。また、組成にAlを含まないのでAlに起因した表面準位、結晶中の深い準位による光吸収非発光再結合、端面腐食がない。GaInAsP材料による窓層を設けたことにより、端面での光吸収が低減し、CODレベルが飛躍的に向上した。また、窓層は材料にAlを含まないので、これによる結晶中の深い準位等の光吸収や、非発光再結合電流による影響がなく、AlGaInP等の半導体材料を窓層とした場合に比べ更に高出力が得られる。 |
| 公开日期 | 2002-05-10 |
| 申请日期 | 2000-10-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60527]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 軸谷 直人,高橋 孝志. 半導体レーザ素子および光情報記録装置. JP2002134834A. 2002-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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