半導体レーザ加工装置
文献类型：专利
| 作者 | 櫻井 努; 植杉 雄二 |
| 发表日期 | 2002-05-22 |
| 专利号 | JP2002148562A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ加工装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 多数のレーザダイオードをバー状に配設したLDアレイを有する平板状レーザユニットを複数用いて高輝度のレーザ光を得る。 【解決手段】 多数のレーザダイオード素子をスロウアクシス方向にバー状に配設したLDアレイ2を有する平板状LDユニット1を複数積み重ね配置したLDユニットスタック3a、3bを設け、LDユニットスタック3a、3bの前部に平板状LDユニット1から出射したレーザビームのファストアクシス方向の幅を平板状LDユニットの厚さ以下、スロウアクシス方向の幅をLDアレイ長と同等にするコリメータレンズ4、5を配設し、これらコリメータレンズ4、5から出射したレーザビームをSLOW方向に半分の幅にするλ/2波長板12と偏向ビームスプリッタ13から成るPBS加算器14を設けた。 |
| 公开日期 | 2002-05-22 |
| 申请日期 | 2000-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 努,植杉 雄二. 半導体レーザ加工装置. JP2002148562A. 2002-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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