半導体レーザ素子及びその形成方法。
文献类型：专利
| 作者 | 妹尾 雅之; 清久 裕之; 松下 俊雄 |
| 发表日期 | 2002-04-12 |
| 专利号 | JP2002111128A |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその形成方法。 |
| 英文摘要 | 【課題】効率が高くビーム特性の優れた光を取り出すことができるレーザ素子及びその形成方法を提供する。 【解決手段】基板上に一対の共振面が形成された活性層を含む第1の半導体と、共振面と対向すると共に基板水平方向に対して傾斜した角度の端面を有する第2の半導体とを備えた半導体レーザ素子ある。 |
| 公开日期 | 2002-04-12 |
| 申请日期 | 2000-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60542]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,清久 裕之,松下 俊雄. 半導体レーザ素子及びその形成方法。. JP2002111128A. 2002-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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