半導体装置及び光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 国雄; 上村 信行; 油利 正昭 |
| 发表日期 | 2001-08-10 |
| 专利号 | JP2001217500A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及び光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 複数の半導体レーザ素子を有する半導体装置において、半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくすると共に、半導体レーザ素子から発生する熱が他の半導体レーザ素子に及ぶことを防止する。 【解決手段】 シリコン基板上に凹部を形成すると共に、その凹部の中央付近に、斜面が(111)面、(1-11)面、(-1-11)面、(-111)面からなる四角錐台状の凸起を、シリコンプロセスを用いて形成する。これらの斜面のうち(111)外面、(111)内面を反射ミラー面とする。半導体レーザ素子をそれぞれ凹部の上に形成された小凸起の上に固定し、凸起の頂面に光ディスクからの戻り光ビームL1’、L2’を受光する受光素子を設ける。 |
| 公开日期 | 2001-08-10 |
| 申请日期 | 2000-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60546]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 国雄,上村 信行,油利 正昭. 半導体装置及び光ピックアップ装置. JP2001217500A. 2001-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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