レーザ光源装置、レーザ光源装置の製造方法、および光ヘッド装置
文献类型:专利
作者 | 森山 克也; 石原 久寛; 竹村 政夫 |
发表日期 | 2002-08-02 |
专利号 | JP2002217479A |
著作权人 | SANKYO SEIKI MFG CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | レーザ光源装置、レーザ光源装置の製造方法、および光ヘッド装置 |
英文摘要 | 【課題】 レーザ光源から出射されたレーザ光が基板にあたって蹴られることを防止でき、かつ、コストの低減を図ることもできるレーザ光源装置、レーザ光源装置の製造方法、および光ヘッド装置を提供すること。 【解決手段】 光ヘッド装置に用いるレーザ光源装置を製造するにあたって、出射端面が互いに対向するように半導体レーザチップがそれぞれ配置される光源実装領域110、120が切断予定線Lの両側に設定された受光素子用の大型基板101に対して、切断予定線Lを跨いで、光源実装領域110、120の間にレーザ光の蹴られ防止用凹部を形成した後、切断予定線Lに沿って大型基板101を切断して大型基板101から個々のレーザ光源装置に用いられる単品の受光素子用の基板100を切り出す。 |
公开日期 | 2002-08-02 |
申请日期 | 2001-01-17 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60573] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SANKYO SEIKI MFG CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 森山 克也,石原 久寛,竹村 政夫. レーザ光源装置、レーザ光源装置の製造方法、および光ヘッド装置. JP2002217479A. 2002-08-02. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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