窒化物半導体ウェハの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田村 聡之; 小川 雅弘; 石田 昌宏 |
| 发表日期 | 2002-08-09 |
| 专利号 | JP2002222773A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体ウェハの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体と母材基板とを分離する際に窒化物半導体が割れるのを防止する。 【解決手段】 サファイア基板1上にGaN膜2を成長した後、サファイア基板1の裏面よりエキシマKrFレーザを照射してサファイア基板1とGaN膜2とを分離する。エキシマKrFレーザのパルス幅は5ns、光強度100mJ/cm2、ビーム径は30mmとする。その後、GaN膜2のレーザを照射された部分に対し研磨を行い、GaN膜2を平らにしてGaNウェハ21を得る。 |
| 公开日期 | 2002-08-09 |
| 申请日期 | 2001-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60579]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田村 聡之,小川 雅弘,石田 昌宏. 窒化物半導体ウェハの製造方法. JP2002222773A. 2002-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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