光半導体集積装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山内 淨; 佐藤 慶二; 田中 清嗣; 永嶋 憲二 |
| 发表日期 | 2002-08-23 |
| 专利号 | JP2002237073A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体集積装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 用途別の素子選択や素子特性に合わせ、タイプ変更や価値評価変更に対する対応が容易で、高歩留まりな生産が可能な光半導体集積装置の実現を課題とする。 【解決手段】 光半導体集積装置のレーザダイオードチップ11や45°立上げミラー12を有する発光部と、受光素子14からなる受光部との相対配置を光学素子2の光学的特性に合わせて最適に調整して形成する。 |
| 公开日期 | 2002-08-23 |
| 申请日期 | 2001-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60587]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 淨,佐藤 慶二,田中 清嗣,等. 光半導体集積装置およびその製造方法. JP2002237073A. 2002-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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