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半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置

文献类型:专利

作者高山 徹; 折田 賢児; 油利 正昭
发表日期2002-10-04
专利号JP2002289965A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置
英文摘要【課題】 高出力DBRレーザの精密な光分布制御を実現する。 【解決手段】 n型GaAs基板1の上にn型GaAsバッファ層2、n型Ga0.5Al0.5As第一クラッド層3、Ga0.7Al0.3As障壁層とGaAs井戸層との多重量子井戸である活性層4、p型Ga0.5Al0.5As第二クラッド層5、p型Ga0.7Al0.3As第一光ガイド層6、第一光ガイド層上に、一部不連続となる窓領域7aを有し、導波光に対して分布ブラッグ反射作用を有するp型Ga0.8Al0.2As回折格子層7、窓領域7aと回折格子層7上にp型Ga0.5Al0.5As第二光ガイド層8、p型Ga0.8Al0.2As第三クラッド層9が設置されている。
公开日期2002-10-04
申请日期2001-03-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60621]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
高山 徹,折田 賢児,油利 正昭. 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置. JP2002289965A. 2002-10-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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