半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹; 折田 賢児; 油利 正昭 |
| 发表日期 | 2002-10-04 |
| 专利号 | JP2002289965A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力DBRレーザの精密な光分布制御を実現する。 【解決手段】 n型GaAs基板1の上にn型GaAsバッファ層2、n型Ga0.5Al0.5As第一クラッド層3、Ga0.7Al0.3As障壁層とGaAs井戸層との多重量子井戸である活性層4、p型Ga0.5Al0.5As第二クラッド層5、p型Ga0.7Al0.3As第一光ガイド層6、第一光ガイド層上に、一部不連続となる窓領域7aを有し、導波光に対して分布ブラッグ反射作用を有するp型Ga0.8Al0.2As回折格子層7、窓領域7aと回折格子層7上にp型Ga0.5Al0.5As第二光ガイド層8、p型Ga0.8Al0.2As第三クラッド層9が設置されている。 |
| 公开日期 | 2002-10-04 |
| 申请日期 | 2001-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60621]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,折田 賢児,油利 正昭. 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置. JP2002289965A. 2002-10-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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