光ヘッド用受発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森山 克也; 石原 久寛; 竹村 政夫 |
| 发表日期 | 2002-10-25 |
| 专利号 | JP2002312975A |
| 著作权人 | SANKYO SEIKI MFG CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光ヘッド用受発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ発光点を受光素子表面に対して高くして受光素子上でのレーザ光のけられを防止した状態で、精度良く、レーザダイオードチップを位置決め可能な光ヘッド用受発光装置の製造方法を提案すること。 【解決手段】 本例の光ヘッド1の受発光装置4の製造方法では、受光素子45が作り込まれた受光素子基板41にウェハプロセスにてサブマウント基板42を貼り合わせた後に、第1および第2のレーザダイオードチップ43、44をサブマウント基板42に搭載している。これらのチップ43、44を位置決めする位置決め部材48は、ウェハプロセスにおいて受光素子が作り込まれている半導体基板ウェハのアライメントマーク410aを基準にして形成される。従って、レーザダイオードチップと受光素子の位置精度を高めることができる。 |
| 公开日期 | 2002-10-25 |
| 申请日期 | 2001-04-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60634]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANKYO SEIKI MFG CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森山 克也,石原 久寛,竹村 政夫. 光ヘッド用受発光装置の製造方法. JP2002312975A. 2002-10-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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