半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹; 玉井 誠一郎 |
| 发表日期 | 2002-12-20 |
| 专利号 | JP2002368330A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 基本横モード発振、レーザ光の高出力を維持しつつも、CODが発生せずに水平広がり角が小さくならないような半導体レーザ及びその半導体レーザを用いた光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板1上にバッファ層2、第1クラッド層3、活性層4、第2クラッド層5及び第3クラッド層6が順次形成されている。第3クラッド層6上に電流狭窄のためにストライプ状の窓7aが形成された電流ブロック層7が形成され、窓7aを含めた電流ブロック層7上に第4クラッド層8が形成され、第4クラッド層8上にはコンタクト層9が形成されている。また、基板1の裏面にはn電極10が形成され、コンタクト層9上にはp電極11が形成されている。さらに、レーザ光の出射端面14に、略球面若しくは楕円面の一部となる曲面を有する凹部12が形成されている。 |
| 公开日期 | 2002-12-20 |
| 申请日期 | 2001-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,玉井 誠一郎. 半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置. JP2002368330A. 2002-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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