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熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置

文献类型:专利

作者板倉 正人; 稲吉 寿浩; 杉浦 裕胤
发表日期2002-12-20
专利号JP2002368293A
著作权人AISIN SEIKI CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置
英文摘要【課題】熱電チップの接合強度を確保するのに有利な熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置を提供する。 【解決手段】熱電モジュール2は、第1電極21を有する第1基板22と、第2電極を有する第2基板と、Ni系メッキ層30が表面に被覆された熱電材料からなる複数個の熱電チップ25とを有する。熱電チップ25のNi系メッキ層30Aを第1基板22の第1電極21及び第2基板の第2電極に、鉛フリー化を進めたチップ接合用の半田層27で接合する。これにより各熱電チップ25を第1電極21と第2電極との間に位置させると共に第1電極21及び第2電極に電気的に接合させている。チップ接合用の半田層27は、重量比でSbを6〜15%含むSn基のSn-Sb系合金で形成されている。半田層27とNi系メッキ層30Aとの間にNi-Sn-Sb系の合金強化層28が形成されている。
公开日期2002-12-20
申请日期2001-06-05
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60663]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位AISIN SEIKI CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
板倉 正人,稲吉 寿浩,杉浦 裕胤. 熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置. JP2002368293A. 2002-12-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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