波長変換型レーザ装置およびその制御方法
文献类型：专利
| 作者 | 油利 正昭 |
| 发表日期 | 2003-01-08 |
| 专利号 | JP2003005237A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 波長変換型レーザ装置およびその制御方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子から出射する光を非線形光学素子により第2高調波に変換する場合に、半導体レーザの波長と出力を個別に制御する。 【解決手段】 シリコン基板1の上に、受光素子7と電極パターン4の形成されたシリコン基板1の上に、光出力制御端子2aと波長制御端子2bと共通端子2cを有するAlGaAs系の波長可変型半導体レーザ素子2がAuSn半田材5を介してジャンクションダウンでマウントされると共に、LiNbO3を主材料とし表面に約3μm周期で形成された分極反転構造3aと、幅約3μmでプロトン交換法により形成された導波路3bを有する非線形光学素子3が、導波路3bの側をシリコン基板1側にして透明樹脂6によりマウントされている。 |
| 公开日期 | 2003-01-08 |
| 申请日期 | 2001-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60676]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 油利 正昭. 波長変換型レーザ装置およびその制御方法. JP2003005237A. 2003-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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