ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫 |
| 发表日期 | 2004-10-28 |
| 专利号 | JPWO2003005515A1 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム |
| 英文摘要 | ２以上のストライプ構造１６及び１６’を１チップ内に設け、第１のストライプ構造１６の緩和振動周波数ｆｒ１とし、、第２のストライプ構造１６’の緩和振動周波数ｆｒ２として、ｆｒ１をｆｒ２よりも大きくする。緩和振動周波数の大きな第１のストライプ構造１６によって低出力でのＲｉｎ値を良好とし、緩和振動の小さな第２のストライプ構造１６’によって高出力での横モードシングル性と信頼性を確保する。 |
| 公开日期 | 2004-10-28 |
| 申请日期 | 2001-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60680]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫. ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム. JPWO2003005515A1. 2004-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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