窒化物系半導体素子及び製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 川口 靖利; 大塚 信之 |
| 发表日期 | 2003-01-17 |
| 专利号 | JP2003017790A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子及び製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaInN系結晶基板において断面の平坦性に優れた分離溝を形成し、再現性が高くかつ高歩留まりなレーザ光共振器作製方法を提供する。 【解決手段】 サファイア基板上に作製したAlGaInN系レーザウエハにおいて、パルスレーザビームを基板裏面から照射した後、表面のレーザ共振器部分を除くAlGaInN系結晶部に照射して分離溝を形成する。この後、前記分離溝に添って力を加え基板をレーザバーに分離する。この方法によりレーザ結晶部にダメージを与えることなく極めて平坦性が高く反射ロスのほとんど無い共振器面が実現でき、かつ再現性が高く高歩留まりな作製が可能となる。 |
| 公开日期 | 2003-01-17 |
| 申请日期 | 2001-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60681]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,川口 靖利,大塚 信之. 窒化物系半導体素子及び製造方法. JP2003017790A. 2003-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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