光源装置、レーザダイオードチップ及びレーザダイオードチップの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 五郎; 森山 克也; 石原 久寛 |
| 发表日期 | 2003-02-14 |
| 专利号 | JP2003046182A |
| 著作权人 | 株式会社三協精機製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光源装置、レーザダイオードチップ及びレーザダイオードチップの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 上下の面に対して垂直な面から傾斜した方向に二次劈開されるレーザダイオードチップを精度良く位置決め可能な光源装置を提案すること。 【解決手段】 光ピックアップ装置の光源装置9において、第1および第2のレーザダイオードチップ61、62は、サブマウント基板70に形成された位置決め突起である第1、第2、第3の凸部81、82、83により位置決めされている。二次劈開によって下面621に対して垂直方向から傾斜した方向に劈開される第2のレーザダイオードチップ62は、劈開に先立ってダイシングにより形成した上下の面に垂直な垂直面部分625aと、二次劈開による劈開面部分625bとによってその側面625が形成されている。垂直面部分625aが形成されているので、これを第2の凸部82の位置決め面82bに面接触状態で押付けて、レーザダイオードチップ62を位置決めできる。 |
| 公开日期 | 2003-02-14 |
| 申请日期 | 2001-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60692]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社三協精機製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 五郎,森山 克也,石原 久寛. 光源装置、レーザダイオードチップ及びレーザダイオードチップの製造方法. JP2003046182A. 2003-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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