光集積化素子
文献类型：专利
| 作者 | 百瀬 正之; 川中 敏 |
| 发表日期 | 2003-02-28 |
| 专利号 | JP2003060304A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光集積化素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光の遠視野像のアスペクト比を1に近似させた2ビームレーザと、2ビームレーザを組み込んだレーザビームプリンタの提供。 【解決手段】 n型GaAs基板と、この基板の主面に順次重ねて形成されるn型クラッド層及び活性層と、前記活性層上に所定距離離して形成される複数のストライプ状のp型クラッド層と、前記ストライプ状のp型クラッド層の両側から活性層上に亘って形成されるn型半導体層と、n型半導体層及びストライプ状のp型クラッド層を被うp型半導体層とを有し、各ストライプ状のp型クラッド層に対応する活性層の端面からそれぞれレーザ光を出射する構成の半導体レーザを有する光集積化素子であって、レーザ光の遠視野像のアスペクト比が3よりも小さくなるようにストライプ状のp型クラッド層の幅は1μm程度で厚さはサブミクロン以下の厚さになっている。 |
| 公开日期 | 2003-02-28 |
| 申请日期 | 2001-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60699]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 百瀬 正之,川中 敏. 光集積化素子. JP2003060304A. 2003-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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