レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 幸一郎; 山崎 舜平 |
| 发表日期 | 2003-02-28 |
| 专利号 | JP2003059859A |
| 著作权人 | 株式会社半導体エネルギー研究所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高い干渉性を持つレーザにおいても、照射面におけるレーザ光のエネルギー分布が一様であるレーザ照射方法およびそれを行うためのレーザ照射装置を提供することを課題とする。また、前記レーザ照射方法により、半導体膜の結晶化や不純物元素の活性化を行って得られた半導体膜を用いて半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。 【解決手段】本明細書で開示するレーザ照射装置に関する発明の構成は、複数のレーザと、前記複数のレーザの発振を制御する手段と、前記複数のレーザから射出する複数のレーザ光を1つのレーザ光に合成する手段と、照射面またはその近傍において前記レーザ光を集光する手段と、前記レーザ光を少なくとも1方向に移動させる手段と、を有することを特徴としている。そして、このようなレーザ照射装置を用いて、半導体膜に対してレーザ光の照射を行い、前記半導体膜の結晶化や不純物元素の活性化を行うことができる。 |
| 公开日期 | 2003-02-28 |
| 申请日期 | 2001-08-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60701]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社半導体エネルギー研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 幸一郎,山崎 舜平. レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法. JP2003059859A. 2003-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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