半導体レーザ装置及び光ディスク再生記録装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川 秀一; 大林 健 |
| 发表日期 | 2003-04-18 |
| 专利号 | JP2003115640A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及び光ディスク再生記録装置 |
| 英文摘要 | 【課題】バリア層と量子井戸層の活性領域における歪を補償し、高出力でありかつ信頼性の高い、760〜800nmのAlフリーの半導体レーザ装置、及びそれを用いた光ディスク用再生記録装置を提供する。 【解決手段】GaAs基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置において、前記量子井戸層がInxGa1-xAs1-yPyからなり、xが0.69以上である。 |
| 公开日期 | 2003-04-18 |
| 申请日期 | 2001-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60735]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川 秀一,大林 健. 半導体レーザ装置及び光ディスク再生記録装置. JP2003115640A. 2003-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。