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半導体レーザ装置とそれを用いた光ディスク装置

文献类型:专利

作者大林 健; 藤城 芳江
发表日期2003-05-09
专利号JP2003133644A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置とそれを用いた光ディスク装置
英文摘要【課題】 高出力で安定してシングル横モード発振ができる半導体レーザ装置を提供すること。 【解決手段】 n-GaAs基板101上に、Alフリーの多重量子井戸活性層105と、p-GaAsエッチングストップ層108上に形成されたリッジストライプ形状のp-Al0.5Ga0.5As上部第2クラッド層109を備える。上部第2クラッド層109は、活性層105に向って末広がりの形状をなすので、高出力発光してもリッジ部側面での光密度が比較的小さいから、上部第2クラッド層109の光密度による劣化を回避できて、光ディスク装置の光源に好適なシングル横モード発光の半導体レーザ装置が得られる。
公开日期2003-05-09
申请日期2001-10-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60745]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
大林 健,藤城 芳江. 半導体レーザ装置とそれを用いた光ディスク装置. JP2003133644A. 2003-05-09.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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