近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 松本 拓也 |
| 发表日期 | 2003-05-16 |
| 专利号 | JP2003142775A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置 |
| 英文摘要 | 【課題】物体に近接して配置することができ、かつ、量産性が高く応用装置の組立が容易な近接場光プローブ集積半導体レーザを提供すること。 【解決手段】半導体基板の主面上に形成した互いに導電性の異なる半導体層よりなる1対の反射鏡と、同1対の反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活性層とを少なくとも有する面発光半導体レーザを形成し、その上面の光出射位置に近接場光を発生するプローブを形成する。面発光レーザを形成する領域以外の該半導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面に到達する孔を設け、上記半導体レーザの主面側への通電を該裏面に達する孔を経、かつ面発光レーザの上面に達しない高さに形成した電極を介して裏面側から行なう。 |
| 公开日期 | 2003-05-16 |
| 申请日期 | 2001-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60746]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,松本 拓也. 近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置. JP2003142775A. 2003-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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