半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川 秀一 |
| 发表日期 | 2003-07-04 |
| 专利号 | JP2003188478A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力·高信頼性·長寿命な半導体レーザ装置およびその製造方法を得ること。 【解決手段】 650℃の成長温度で、多重歪量子井戸活性層105のGaAsPからなるバリア層を積層した直後に、AlGaAsからなる第二上ガイド層126を積層する。この第二上ガイド層126はP系層に適した成長温度である650℃のままで成長させて、上記バリア層からのPの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層126との界面の粗さの大きさを20Å以下にまで下げる。その後、第一上ガイド層106を積層する。この第一上ガイド層106の成長温度は、成長開始時は650℃であるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に750℃にする。 |
| 公开日期 | 2003-07-04 |
| 申请日期 | 2001-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60774]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川 秀一. 半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置. JP2003188478A. 2003-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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