窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置
文献类型：专利
| 作者 | 大野 智輝; 伊藤 茂稔 |
| 发表日期 | 2003-07-11 |
| 专利号 | JP2003198065A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 自然放出光の少ない窒化物半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有する光吸収部を、素子内の電流路のうち活性層における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄している部分から僅かに離間するように設けて、活性層からあらゆる方向に出る自然放出光の一部を光吸収部によって吸収する。 |
| 公开日期 | 2003-07-11 |
| 申请日期 | 2001-12-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60776]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智輝,伊藤 茂稔. 窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置. JP2003198065A. 2003-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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