窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 幸生; 伊藤 茂稔 |
| 发表日期 | 2002-10-31 |
| 专利号 | JP2002319744A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電力を増加させることなく、楕円率を改善した窒化物半導体レーザ素子を提供し、より小型化·低消費電力化された光学式情報再生装置を提供する。 【解決手段】 本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層17をn型とp型の窒化物半導体からなるn型クラッド層15とp型クラッド層26で挟んだ構造を有している。さらに、p型クラッド層26は層厚方向に互いに組成が異なる2層以上から構成され、活性層17に近い第1のp型クラッド層20が、より遠い第2のp型クラッド層21に比べて低い屈折率を有する。また、本発明の光学式情報再生装置は、本発明の半導体レーザ素子を搭載している。 |
| 公开日期 | 2002-10-31 |
| 申请日期 | 2002-02-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60792]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 幸生,伊藤 茂稔. 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置. JP2002319744A. 2002-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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