光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイス
文献类型:专利
作者 | 真能 清志; 山内 淨 |
发表日期 | 2004-02-05 |
专利号 | JP2004039120A |
著作权人 | SONY CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイス |
英文摘要 | 【課題】半導体レーザダイオードで発生する熱を効率よく放熱することができる光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスを提供する。 【解決手段】半導体レーザダイオード1204にフレキシブル基板40の第1の導電層42を介して駆動信号が供給されると、該半導体レーザダイオード1204が駆動され発光動作を行う。この発光動作に伴って半導体レーザダイオード1204で発生した熱は、放熱板1202に伝達される。放熱板1202に伝達された熱は、ホルダ(ピックアップ筐体)50に伝達されて該ホルダ(ピックアップ筐体)50で放熱されるとともに、サイドプレート1202Aを介してフレキシブル基板40の第1の導電層42に伝達され、さらに導通領域46を介して第2の導電層44に伝達され、第2の導電層44で放熱される。 【選択図】 図1 |
公开日期 | 2004-02-05 |
申请日期 | 2002-07-04 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60851] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SONY CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 真能 清志,山内 淨. 光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイス. JP2004039120A. 2004-02-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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