激光辐照装置、激光辐照方法、以及半导体器件制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中幸一郎 |
| 发表日期 | 2008-09-03 |
| 专利号 | CN101256947A |
| 著作权人 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光辐照装置、激光辐照方法、以及半导体器件制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光辐照装置、激光辐照方法、以及半导体器件制造方法。提供一种方法和装置，用来在辐照表面上恒定地建立激光束的能量分布，将激光束均匀地辐照到整个辐照表面。本发明还提供在工艺中包括该激光辐照方法的半导体器件的制造方法。本发明的特征是用光学系统将多个激光束在辐照表面上的形状形成为椭圆形或矩形，在辐照表面沿第一方向移动的同时，发射多个激光束，且辐照表面沿第二方向移动，以及辐照表面在沿与第一方向相反的方向移动的同时，发射多个激光束。在辐照表面沿第一方向移动的同时可以发射多个激光束，并在辐照表面沿与第一方向相反的方向移动的同时，可以发射多个激光束，以及辐照表面也可以沿第二方向移动。 |
| 公开日期 | 2008-09-03 |
| 申请日期 | 2002-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60857]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎. 激光辐照装置、激光辐照方法、以及半导体器件制造方法. CN101256947A. 2008-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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