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半導体レーザ固定装置

文献类型:专利

作者日比野 清司
发表日期2004-04-08
专利号JP2004111507A
著作权人三洋電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ固定装置
英文摘要【構成】半導体レーザ16を固定する取付孔12が形成されたホルダ10の取付孔12の内面に、取付孔12の深さ方向に沿って多数の三角柱14を形成し、その先端部の包絡円の直径が半導体レーザ16の外径寸法よりも小さくすることによって、この半導体レーザ固定装置10の取付孔12に半導体レーザ16を圧入しやすくする。 【効果】各三角柱の先端部が変形して半導体レーザに密着するので、半導体レーザで発生した熱は、この変形した先端部を介して、ホルダに放熱されやすくなる。また、量産時に使用する半導体レーザの外径寸法がばらついても、三角柱の先端部が変形してそのばらつきを吸収するので、光ピックアップの量産時には1種類のホルダを準備するだけでよい。 【選択図】 図1
公开日期2004-04-08
申请日期2002-09-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60878]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
日比野 清司. 半導体レーザ固定装置. JP2004111507A. 2004-04-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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