半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹; 油利 正昭; 折田 賢児 |
| 发表日期 | 2004-06-10 |
| 专利号 | JP2004165383A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】活性層の出射端面における回折格子層側の部分が溶融破壊されるのを抑制し得る半導体レーザ装置、これを用いた第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置を提供することにある。 【解決手段】活性層4と、活性層4の上層に位置する回折格子層8とを有する半導体レーザ装置を用いる。回折格子層8は、活性層4の主面よりも狭い範囲内に形成する。活性層4は、回折格子層8の直下となるDBR領域及び位相制御領域におけるバンドギャップが、利得領域におけるバンドギャップよりも大きくなるように形成する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2004-06-10 |
| 申请日期 | 2002-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60894]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,油利 正昭,折田 賢児. 半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置. JP2004165383A. 2004-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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