窒化ガリウム系半導体レーザ及び画像露光装置
文献类型：专利
| 作者 | 松本 研司; 早川 利郎 |
| 发表日期 | 2003-09-12 |
| 专利号 | JP2003258383A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ及び画像露光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 EL光の出力割合が低減され、銀塩感光材料を露光した場合に鮮鋭度に優れた高品位な画像を得ることができる窒化ガリウム系半導体レーザ(GaN系LD)及び画像露光装置を提供する。 【解決手段】銀塩感光材料を用いて、鮮鋭度に優れ視覚的に高品位な画像を得るためには、GaN系LDの光出力に占めるEL光出力の割合を20%以下とする必要がある。印画紙上での光強度を約0.05mW、導波路厚さ3nmとすると、導波路幅3μmの下では、共振器長Lを0mm以下とした場合にこの条件を満たす。即ち、導波路幅W1と共振器長Lとの積(W1·L)を0.003mm2以下とする。 |
| 公开日期 | 2003-09-12 |
| 申请日期 | 2002-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60897]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 研司,早川 利郎. 窒化ガリウム系半導体レーザ及び画像露光装置. JP2003258383A. 2003-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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