半導体レーザ装置およびその製造方法、光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 真弘 |
| 发表日期 | 2004-09-02 |
| 专利号 | JP2004247430A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法、光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】一つの基板上に複数の半導体レーザを精度よくかつ高密度に配置できる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】シリコン酸化層106a〜106cを介して、〈110〉方向が所望の方向に向けられたシリコン基板101〜104を張り合わせた積層基板105を用い、矩形溝108a〜108cをウエットエッチングによって形成する。これによって、各矩形溝108a〜108cにおいては、その矩形溝底面1080a〜1080cが平坦なシリコン酸化層106aによって形成されるとともに、基板に対して正確に45°の角度を有する斜面102a〜104aが形成される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2004-09-02 |
| 申请日期 | 2003-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60926]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 真弘. 半導体レーザ装置およびその製造方法、光ピックアップ装置. JP2004247430A. 2004-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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