半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛司; 村西 正好 |
| 发表日期 | 2004-01-29 |
| 专利号 | JP2004031900A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】高出力レーザチップのようにチップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチップの場合でも、ヒートシンクを大きくして放熱特性を向上させながら外径が小さく、かつ、安価で簡便に製造できる構造の半導体レーザ、その製法およびそれを用いた薄型の光ピックアップを提供する。 【解決手段】平面形状がほぼ円形のベース11にその一つの直径に対して一定間隔を隔てて、2本のリード13、15が固定され、ベース11の一面側に、2本のリード13、15と平行で、かつ、ベース11と垂直な一つの面12aを有するヒートシンク12が設けられることによりステム1が形成されている。ヒートシンク12の一つの面12aにレーザチップ2がマウントされ、その周囲がキャップ5により被覆されている。ヒートシンク12は、レーザチップ2のレーザ光出射位置がベース11の中心になるように固着されている。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-01-29 |
| 申请日期 | 2003-02-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60927]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛司,村西 正好. 半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置. JP2004031900A. 2004-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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