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半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置

文献类型:专利

作者細羽 弘之; 光本 高宏
发表日期2005-03-24
专利号JP2005079525A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置
英文摘要【課題】戻り光によるトラッキングノイズを抑制できる半導体レーザー素子、及びこの半導体レーザー素子を生産歩留りを低下させることなく容易に製造できる製造方法、及びこの半導体レーザー素子を用いた光ピックアップ装置を提供すること。 【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された活性層を含む複数の半導体積層膜とを少なくとも備え、半導体基板は、少なくとも活性層のレーザ光出射端面側の端面に、半導体基板の裏面から活性層の厚み中心よりも基板側へ50μm以下の位置にかけて、活性層に対し平行方向に延びる溝を有する半導体レーザー素子を提供することにより課題を解決する。 【選択図】図1
公开日期2005-03-24
申请日期2003-09-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61008]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
細羽 弘之,光本 高宏. 半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置. JP2005079525A. 2005-03-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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