AlGaAs系半導体レーザ素子、光ピックアップ装置および光記録·再生装置
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志 |
| 发表日期 | 2006-02-09 |
| 专利号 | JP2006041072A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaAs系半導体レーザ素子、光ピックアップ装置および光記録·再生装置 |
| 英文摘要 | 【課題】偏光特性の安定化したAlGaAs系半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 AlGaAs系半導体レーザ素子10において、埋め込み層16の格子定数がp型クラッド層14のそれより大きくなっている。埋め込み層16はn型(Alx Ga1-x )y In1-y Pにより構成され、p型クラッド層14は、p型Alz Ga1-z Asにより構成されている。埋め込み層16とp型クラッド層14との間には、+0x10-3以上、+2.0x10-3以下の範囲の格子不整合が生じており、これにより活性層13に対して圧縮応力が加わり、活性層13には予め圧縮歪みが生じている。サブマウントに実装されたのち、サブマウントから活性層13に引っ張り応力が加わったとしても、発光偏光はTEモードで安定する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-02-09 |
| 申请日期 | 2004-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61120]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志. AlGaAs系半導体レーザ素子、光ピックアップ装置および光記録·再生装置. JP2006041072A. 2006-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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