レーザ加熱設備
文献类型：专利
| 作者 | 櫻井 努 |
| 发表日期 | 2006-02-09 |
| 专利号 | JP2006041406A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザ加熱設備 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光を安定して出力することができるレーザ加熱設備を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザ加熱設備は、予めサーミスタにより測定されたワット級ワンチップ半導体レーザの温度に基づいて、温度測定回路によりワット級ワンチップ半導体レーザの温度特性を得て、この温度特性に基づいて、電流波形調整手段により第1目標駆動電流値I1,第2目標駆動電流値I2,第1設定時間T1,第2設定時間T2を設定することにより、温度上昇に伴うワット級ワンチップ半導体レーザのレーザ光の出力低下を補償するため、ワット級ワンチップ半導体レーザより安定したレーザ光を出射することができる。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2006-02-09 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61124]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 努. レーザ加熱設備. JP2006041406A. 2006-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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