半導体装置及び基板の分割方法
文献类型：专利
| 作者 | 上田 哲三; 上田 大助 |
| 发表日期 | 2005-03-17 |
| 专利号 | JP2005072575A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及び基板の分割方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 チップ欠けを生じさせることなく、またチップ形状を再現性良く四角形に近い形にすることが可能な、半導体装置及び基板の分割方法を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体ウエハ端部のエピタキシャル成長層2表面を、互いに平行になるように直線状に電子ビーム3で複数回スキャンし、窒化物半導体ウエハ表面を短時間で加熱冷却してクラックを発生させてスクライブ線4を形成した後、スクライブ線4に刃状治具5を当て、SiC基板1裏面より治具6で圧力を加える。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2005-03-17 |
| 申请日期 | 2004-08-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61127]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上田 哲三,上田 大助. 半導体装置及び基板の分割方法. JP2005072575A. 2005-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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