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半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置。

文献类型:专利

作者藤城 芳江
发表日期2006-03-16
专利号JP2006073746A
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置。
英文摘要【課題】 発振波長0μm以下の近赤外波長帯半導体レーザ素子において、自由電子吸収の抑制と、それとトレードオフの関係にある温度特性、素子抵抗、発振横モードの安定性を両立させる。 【解決手段】 基板上101に、n型クラッド層103と、p型クラッド層107,109を含む複数のp型導電型層m(m=1、2…k)(kは自然数)と、活性層105とを備えた発振波長が0μm以下の半導体レーザ素子において、基板上の全ての層に存在する光量の総和に対するp型導電型層mに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(m)とし、p型導電型層mのドーピング濃度をP(m) (cm-3)としたとき、Γ(m)とP(m)の積の総和 を8.0×1017cm-3以下とする。 【選択図】図1
公开日期2006-03-16
申请日期2004-09-01
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61142]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
藤城 芳江. 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置。. JP2006073746A. 2006-03-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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