半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置。
文献类型:专利
作者 | 藤城 芳江 |
发表日期 | 2006-03-16 |
专利号 | JP2006073746A |
著作权人 | シャープ株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置。 |
英文摘要 | 【課題】 発振波長0μm以下の近赤外波長帯半導体レーザ素子において、自由電子吸収の抑制と、それとトレードオフの関係にある温度特性、素子抵抗、発振横モードの安定性を両立させる。 【解決手段】 基板上101に、n型クラッド層103と、p型クラッド層107,109を含む複数のp型導電型層m(m=1、2…k)(kは自然数)と、活性層105とを備えた発振波長が0μm以下の半導体レーザ素子において、基板上の全ての層に存在する光量の総和に対するp型導電型層mに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(m)とし、p型導電型層mのドーピング濃度をP(m) (cm-3)としたとき、Γ(m)とP(m)の積の総和 を8.0×1017cm-3以下とする。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2006-03-16 |
申请日期 | 2004-09-01 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61142] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤城 芳江. 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置。. JP2006073746A. 2006-03-16. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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