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半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、光ディスク装置および光伝送システム

文献类型:专利

作者岸本 克彦; 藤城 芳江
发表日期2005-09-29
专利号JP2005268754A
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、光ディスク装置および光伝送システム
英文摘要【課題】電極側に光を漏らさないことで、低コストで製造でき、かつ低閾値電流発振と高効率動作が可能な低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】n-GaAs基板101上に、多重歪量子井戸活性層106と第2導電型の半導体層群(p-AlGaAs第1上クラッド層108,p-AlGaAs第2上クラッド層109,p-GaAsエッチングストップ層110,p-AlGaAs第3上クラッド層111,p-GaAsコンタクト層112およびp+-GaAsコンタクト層113)を形成する。上記第2導電型の半導体層群の上側のリッジ部130側の表面に形成された多層構造のp側電極114が、リッジ部130の側面およびリッジ部130近傍の第2導電型の半導体層群の表面に接している。上記p側電極114の最下層において、発振レーザ光に対する屈折率を0以下にする。 【選択図】図1
公开日期2005-09-29
申请日期2004-11-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61172]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
岸本 克彦,藤城 芳江. 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、光ディスク装置および光伝送システム. JP2005268754A. 2005-09-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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