窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録装置
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 幸生; 伊藤 茂稔 |
| 发表日期 | 2006-10-05 |
| 专利号 | JP2006269954A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高いキンクレベルを有するリッジ導波路型窒化物半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子は、基板(101)上において窒化物の活性層(105)を含む複数の化合物半導体層(102-109)からなる半導体積層構造を備え、その半導体積層構造は水平方向光閉込め作用のためのリッジストライプを有し、そのリッジストライプの両側に位置するリッジ底面(114)上に第1の埋込み層(112)を有し、その第1の埋込み層上に第2の埋込み層(113)を有し、第1の埋込み層はレーザ発振波長の光に対して吸収特性を有し、第2の埋込み層は絶縁性を有すると共にレーザ発振波長の光に対して透明であり、第1の埋込み層は第2の埋込み層より小さな厚さを有しており、そしてレーザ発振波長の光が第1の埋込み層を透過して第2の埋込み層まで染み出し得ることを特徴としている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-10-05 |
| 申请日期 | 2005-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61216]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 幸生,伊藤 茂稔. 窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録装置. JP2006269954A. 2006-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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