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受光回路、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置

文献类型:专利

作者志水 雄三; 安川 久忠; 濱口 真一; 今泉 憲二; 宮本 伸一; 黒岩 洋佑
发表日期2006-10-26
专利号JP2006294980A
著作权人パナソニック株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名受光回路、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
英文摘要【課題】環境温度の変化による受光回路の出力変動を簡便な構成で防止できる受光回路などを提供する。 【解決手段】LDパワーモニタ用フォトダイオード4と、帰還抵抗13が接続されたI-Vアンプ5を備え、フォトダイオード4の受光部16は保護膜19で覆われている。レーザ光の波長が環境温度の変化によってシフトすることに伴う保護膜19の光透過率の温度依存性と、帰還抵抗13の抵抗値の温度依存性とがお互い補償しあって、受光回路の出力電圧が温度変化に対して一定になるように設定されている。 【選択図】図1
公开日期2006-10-26
申请日期2005-04-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61223]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位パナソニック株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
志水 雄三,安川 久忠,濱口 真一,等. 受光回路、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置. JP2006294980A. 2006-10-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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