半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小原 直樹; 竹原 浩成; 岩井 誉貴; 安川 久忠 |
| 发表日期 | 2007-03-29 |
| 专利号 | JP2007080988A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】波長350nm〜1200nmの青〜赤外光を出射するレーザ出射部に対して、高反射率かつ高精度な反射膜を同一の半導体基板に実装する。 【解決手段】青系の半導体レーザ素子1aと赤系の半導体レーザ素子1bを有するレーザ出射部1と、レーザ出射部1からのレーザ光を反射するミラー部2とが同一基板5に形成され、さらに、青系の半導体レーザ素子1aと赤系の半導体レーザ素子1bのそれぞれに対して青の波長に対して反射率の高い第1の反射膜M1と赤ないし赤外の波長に対して反射率の高い第2の反射膜M2がミラー部2を区画した複数領域に形成されている。第1の反射膜M1はAl層と誘電体層の多層膜で構成され、第2の反射膜M2はAuまたはPtからなる金属膜で構成されている。これにより、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光を効率良く反射することができる。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2007-03-29 |
| 申请日期 | 2005-09-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小原 直樹,竹原 浩成,岩井 誉貴,等. 半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法. JP2007080988A. 2007-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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