光デバイス及び光デバイスの製造方法
文献类型:专利
作者 | 大山 実 |
发表日期 | 2008-02-21 |
专利号 | JP2008041158A |
著作权人 | VICTOR CO OF JAPAN LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
英文摘要 | 【課題】受光素子及び増幅演算回路を一体的に内蔵した受光素子基板(PDIC)を用いて集積化した光デバイスにおいて、半導体レーザ及び増幅演算回路からの発熱を効率よく放熱できるようにし、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。 【解決手段】サブマウント1と受光素子基板18とを、同一の半導体ウエハ30上において作製し、切断分離させ、サブマウント1、光路変換ミラー3及び受光素子基板18を配線基板24上に搭載して、光デバイスを製造する。 【選択図】図2 |
公开日期 | 2008-02-21 |
申请日期 | 2006-08-04 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61352] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | VICTOR CO OF JAPAN LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 大山 実. 光デバイス及び光デバイスの製造方法. JP2008041158A. 2008-02-21. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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