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光デバイス及び光デバイスの製造方法

文献类型:专利

作者大山 実
发表日期2008-02-21
专利号JP2008041158A
著作权人VICTOR CO OF JAPAN LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光デバイス及び光デバイスの製造方法
英文摘要【課題】受光素子及び増幅演算回路を一体的に内蔵した受光素子基板(PDIC)を用いて集積化した光デバイスにおいて、半導体レーザ及び増幅演算回路からの発熱を効率よく放熱できるようにし、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。 【解決手段】サブマウント1と受光素子基板18とを、同一の半導体ウエハ30上において作製し、切断分離させ、サブマウント1、光路変換ミラー3及び受光素子基板18を配線基板24上に搭載して、光デバイスを製造する。 【選択図】図2
公开日期2008-02-21
申请日期2006-08-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61352]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位VICTOR CO OF JAPAN LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
大山 実. 光デバイス及び光デバイスの製造方法. JP2008041158A. 2008-02-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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