半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール
文献类型：专利
| 作者 | 大林 健 |
| 发表日期 | 2008-02-28 |
| 专利号 | JP2008047640A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール |
| 英文摘要 | 【課題】少ない工程数でかつ高い歩留まりで作製可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】第1導電型半導体基板(101)上に順に設けられた第1導電型下クラッド層(103)、活性層(105)、第2導電型第1上クラッド層(106)、第2導電型高Al組成層(109)、Alを含まない第2導電型保護層(110)、およびストライプ状リッジ(120)を構成する第2導電型第2上クラッド層(111)を含むリッジ導波型半導体レーザ素子において、保護層はリッジの直下を除く領域において部分的な開口部(122)を有し、リッジ直下を除く領域において部分的な開口部を介して高Al組成層を酸化させることによって形成された酸化物層(109b)が設けられており、リッジの頂部を直接被覆しかつそのリッジの少なくも片側におけるリッジ側面、保護層、および開口部に露出している酸化物層を直接被覆している金属電極層(114)を含んでいる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-02-28 |
| 申请日期 | 2006-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大林 健. 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール. JP2008047640A. 2008-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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