半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 古川 秀利 |
| 发表日期 | 2008-03-13 |
| 专利号 | JP2008060272A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】同一基板上に、共振器長の異なる複数の半導体レーザ素子部を形成する。 【解決手段】半導体基板101上の第1素子形成領域に、エッチング促進層113、第1n型クラッド層102、第1活性層103、第1p型クラッド層104を堆積して第1積層構造を形成し、第2素子形成領域に、第2n型クラッド層108、第2活性層109、第2p型クラッド層110を堆積し、劈開により、第2素子形成領域上に両端面に反射鏡を有する第2レーザ素子部121を形成するとともに、第1素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第1レーザ素子部素材部を形成し、第1レーザ素子部素材部の端面から所定深さ、エッチング促進層113を除去し、その除去されたエッチング促進層113があった領域上にある第1積層構造の部分を劈開によって除去し、共振方向の長さが第2レーザ素子部121よりも短い第1レーザ素子部120を形成する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-03-13 |
| 申请日期 | 2006-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61360]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,古川 秀利. 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置. JP2008060272A. 2008-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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