窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 茂稔; 上田 吉裕; 湯浅 貴之; 種谷 元隆; 元木 健作 |
| 发表日期 | 2007-07-26 |
| 专利号 | JP2007189221A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。 【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をV字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、(0001)面から0.2°〜1°の範囲のオフ角度を有している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-07-26 |
| 申请日期 | 2006-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61382]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 茂稔,上田 吉裕,湯浅 貴之,等. 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法. JP2007189221A. 2007-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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