半導体装置、レーザ発光装置および半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山内 淨; 小澤 正文; 小林 高志 |
| 发表日期 | 2008-08-07 |
| 专利号 | JP2008182143A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置、レーザ発光装置および半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射しても、当該ビーム光の被照射面において、ラジアル·タンジェンシャル方向が均等なスポット形状を得られるようにする。 【解決手段】被照射面に対してレーザ光を照射するレーザ発光装置に用いられる半導体装置であって、縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射する発光素子11と、前記発光素子11が前記ビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対し傾いた状態で取り付けられる素子搭載面12aとを備える。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2008-08-07 |
| 申请日期 | 2007-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61390]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 淨,小澤 正文,小林 高志. 半導体装置、レーザ発光装置および半導体装置の製造方法. JP2008182143A. 2008-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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