多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置
文献类型:专利
作者 | 前田 修; 汐先 政貴; 荒木田 孝博 |
发表日期 | 2008-12-04 |
专利号 | JP2008294322A |
著作权人 | ソニー株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置 |
英文摘要 | 【課題】搭載されるデバイスの小型化を可能にする多波長レーザを提供する。 【解決手段】GaN基板10上に、GaN基板10上での結晶成長により形成されたレーザ構造部LD1と、GaN基板10とは異なる基板(GaAs基板130)上での結晶成長により形成されると共にGaN基板10上に、絶縁層11、接着層12および電極層13からなる積層構造を介して配設されたレーザ構造部LD2,LD3とが設けられている。つまり、レーザ構造部LD1とレーザ構造部LD2,LD3とが互いに異なる基板上での結晶成長により形成されているので、レーザ構造部LD1と、レーザ構造部LD2,LD3との波長差を大きくすることができる。また、各レーザ構造部LD1,LD2,LD3が共通のGaN基板10上に設けられているので、各レーザ構造部LD1,LD2,LD3から射出されるレーザ光の光軸の間隔を十分に狭くすることができる。 【選択図】図2 |
公开日期 | 2008-12-04 |
申请日期 | 2007-05-28 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61423] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ソニー株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 前田 修,汐先 政貴,荒木田 孝博. 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置. JP2008294322A. 2008-12-04. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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