半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、および光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川 秀一; 岸本 克彦 |
| 发表日期 | 2009-01-08 |
| 专利号 | JP2009004602A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、および光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】エッチング深さの制御性を向上させてリッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体基板101上に、バッファ層102と、第一下クラッド層103と、エッチング開始層104と、第二下クラッド層105と、活性層107と、上クラッド層109とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。第一フォトマスクを用いて半導体層111〜105のエッチングを行って、モニタ領域108でエッチング開始層104を露出させる。第二フォトマスク116を用いて半導体層111〜109aのドライエッチングを、第二エッチングモニタ用開口部118を通して上記ドライエッチングの進行を観測しながら行い、第一下クラッド層103の消失に応じた所定のタイミングで上記ドライエッチングを停止させる。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2009-01-08 |
| 申请日期 | 2007-06-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61432]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川 秀一,岸本 克彦. 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、および光ディスク装置. JP2009004602A. 2009-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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