半導体光増幅素子及び脈波計測装置
文献类型:专利
作者 | 松田 京子; 奥村 敏之 |
发表日期 | 2009-03-05 |
专利号 | JP2009049280A |
著作权人 | シャープ株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体光増幅素子及び脈波計測装置 |
英文摘要 | 【課題】近赤外光の光信号を含む入力光の光強度が、従来の素子では検知が困難なほど微弱であっても、出力光の振幅を増大させて光信号のS/N比を向上して検出することができる半導体光増幅素子及び脈波計測装置を提供する。 【解決手段】光信号P0を含む入力光Pinを受光し、光増幅領域5,6、及び可飽和吸収領域4を含んでおり、出力光Poutを出射する活性層2と、p電極10·11·12と、n電極15とを備えており、活性層2は、双安定状態又は単安定状態をとる光入出力特性を有しており、光信号P0には付加雑音光Pnが付加され、付加雑音光Pnの強度、光増幅領域5,6に注入される電流の強度、及び可飽和吸収領域4に印加される電圧の強度は、出力光強度が急激に増大するように調整される。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2009-03-05 |
申请日期 | 2007-08-22 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61443] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 京子,奥村 敏之. 半導体光増幅素子及び脈波計測装置. JP2009049280A. 2009-03-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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