光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹 |
| 发表日期 | 2009-04-30 |
| 专利号 | JP2009094372A |
| 著作权人 | FUJIFILM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置 |
| 英文摘要 | 【課題】0.9〜2μmの中心波長の光を発光する、高出力化可能な光半導体素子を得る。 【解決手段】 光半導体素子1を、InP基板10と、InP基板10の上に積層された第一導電型クラッド層11と、第一導電型クラッド層11の上に積層された量子井戸活性層13であって、InGaAsPあるいはAlGaInAsからなる量子井戸層13aと、量子井戸層13aを挟むように積層されているInPあるいはGaInPからなる障壁層13bとを備えた量子井戸活性層13と、量子井戸活性層13の上に積層された第二導電型クラッド層15とを備える構成とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-04-30 |
| 申请日期 | 2007-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIFILM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置. JP2009094372A. 2009-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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