半導体レーザ及びこれを用いた記録再生用ピックアップ装置、並びに、半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 根本 和彦 |
| 发表日期 | 2009-07-23 |
| 专利号 | JP2009164389A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びこれを用いた記録再生用ピックアップ装置、並びに、半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】2つのレーザ素子を同一チップにもつ半導体レーザ、これを用いた記録再生用光ピックアップ装置、半導体レーザの製造方法を提供すること。 【解決手段】チップ10は、n型クラッド層22、活性層24、p型クラッド層26、p型コンタクト層28がこの順にn型GaN基板20に積層して構成される。p型クラッド層の一部及びp型コンタクト層は、ストライプ状のリッジ部30a、30bを構成しており、活性層のうちリッジ部に対応する領域がそれぞれ、記録用レーザ出射端面32a、再生用レーザ出射端面32bとなっており、記録用、再生用レーザ33a、33bが放射される。例えば、リッジ部の幅、リッジ部の両側でのpクラッド層の厚さを変更する等により放射角を変える。光ピックアップ装置での記録時は放射角の小さいレーザを、再生時は放射角の大きいレーザを用い、レーザ量子ノイズを低減させる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-07-23 |
| 申请日期 | 2008-01-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61482]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 根本 和彦. 半導体レーザ及びこれを用いた記録再生用ピックアップ装置、並びに、半導体レーザの製造方法. JP2009164389A. 2009-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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